事件内容：欧洲微电子研究中心imec与根特大学（Ghent University）近日宣布，通过微转印（micro-transfer printing）技术，将薄膜铌酸锂（LiNbO₃）调制器异质集成进硅光电路，实现了O波段320Gbps、2公里无中继放大的光链路；并首次将钽酸锂（lithium tantalate）调制器异质集成进硅光平台。两项成果把高性能光电材料与成熟硅光产线结合，在不牺牲带宽与功耗的前提下，向可量产的片上光互连迈出关键一步。
铌酸锂/钽酸锂薄膜调制器以高带宽、低损耗、低驱动的特质，被视为下一代相干与直检光互连的核心器件，正被各大厂押注用于CPO（共封装光学）与NPO（近封装光学）。
值得关注的原因：
- 直击AI集群带宽瓶颈。随着单机柜迈入万卡级、Scale-Up网络向1.6T/3.2T演进，铜互连的功耗与距离天花板日益明显。薄膜铌酸锂调制器提供的高带宽、低功耗光电转换，正是超节点光互连“光进铜退”的关键拼图。
- 异质集成打开降本通道。“微转印”把高性能光电材料贴装到标准硅光晶圆上，既保留CMOS工艺的规模化与成本优势，又补上硅本身在高速调制上的短板，有望加速CPO从样机走向规模部署。
- 对国内产业链具参考意义。在硅光、InP方案之外，欧洲在光互连“材料层”的卡位，为国内光模块与硅光企业（如中际旭创、新易盛、曦禾等）的器件路线选择与技术并购提供了新坐标；AI算力竞争已从单芯片延伸到封装、互连与材料的系统级比拼。
原创文章，作者：陈默，如若转载，请注明出处：https://www.chenmo.net/270.html
