据路透社10月28日独家报道，中国最大的传统DRAM制造商长鑫科技（CXMT）计划在未来两个月内启动HBM3E高带宽内存的小批量生产，并已向多家国内AI芯片设计企业送样。HBM3E是训练与运行大语言模型专用加速器的关键元器件，通过将内存芯片垂直堆叠，实现与AI处理器之间的高速数据交互。
市场研究机构Counterpoint数据显示，2026年第二季度，SK海力士占据全球HBM营收约50%、三星33%、美光18%；长鑫当季在全球传统DRAM营收占比约10%，为全球第四大供应商。报道援引知情人士称，受良率约束，长鑫HBM3E预计售价将高于海外竞品，但公司早在2024年即启动该技术的自主研发。
为什么值得关注
一、HBM是AI加速器的“第一瓶颈”。目前全球HBM由SK海力士、三星、美光三家垄断，美国出口管制更限制了先进HBM对华供应。长鑫的入局，标志着国产AI内存“自主可控”迈出实质性一步——即便初期仅小批量、良率仅20%–30%（对比SK海力士约70%），也是补齐国内AI硬件短板的关键拼图。
二、紧迫性高于经济性。在海外供给受限、国内AI芯片厂商（华为、寒武纪、沐曦、天数智芯等）已多次提价20%–50%的背景下，长鑫以“边量产边提升良率”的策略切入，反映北京在半导体全产业链自主化上的战略决心。若良率显著改善，长鑫有望成为国内AI硬件生态的确定性内存来源，部分缓解对外依赖。
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